RG2012P-4871-W-T1 全國供應商、價格、PDF資料

RG2012P-4871-W-T1詳細規格

類別：芯片電阻 - 表面安裝

描述：RES 4.87K OHM 1/8W .05% 0805

系列：RG

制造商：Susumu

電阻333Ω444：4.87k

功率333W444：0.125W，1/8W

成分：薄膜

特性：-

溫度系數：±25ppm/°C

容差：±0.05%

封裝/外殼：0805（2012 公制）

供應商器件封裝：0805（2012 公制）

大小/尺寸：0.079" L x 0.049" W（2.00mm x 1.25mm）

高度：0.020"（0.50mm）

端子數：2

包裝：帶卷 (TR)

• RCL122569R8FKEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    寬 2512（6432 公制），1225    RES 69.8 OHM 2W 1% 1225 WIDE

• RJK0364DPA-00#J0

  FET - 單    Renesas Electronics America    8-WDFN 裸露焊盤    MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

• RMCF0805FTR249

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0805（2012 公制）    RES TF 1/8W 0.249 OHM 1% 0805

• RG2012P-4871-P-T1

  芯片電阻 - 表面安裝    Susumu    0805（2012 公制）    RES 4.87K OHM 1/8W .02% 0805

• RCL121845R3FKEK

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    寬 1812（4532 公制），1218    RES 45.3 OHM 1W 1% 1218 WIDE

• M83723/78R12037

  連接器，互連器件    TE Connectivity    寬 1812（4532 公制），1218    CONN PLUG 3POS STRGHT W/PINS

• RMCF0805FTR270

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0805（2012 公制）    RES TF 1/8W 0.27 OHM 1% 0805

• RCL12256K20FKEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    寬 2512（6432 公制），1225    RES 6.2K OHM 2W 1% 1225 WIDE

• RJK0365DPA-00#J0

  FET - 單    Renesas Electronics America    8-WDFN 裸露焊盤    MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

• M83723/78R12038

  連接器，互連器件    TE Connectivity    0805（2012 公制）    CONN PLUG 3POS STRGHT W/PINS

• RCL12256R04FKEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    寬 2512（6432 公制），1225    RES 6.04 OHM 2W 1% 1225 WIDE

• RMCF0805JG11K0

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0805（2012 公制）    RES TF 1/8W 11K OHM 5% 0805

• RJK0366DSP-00#J0

  FET - 單    Renesas Electronics America    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOP

• RG2012P-4872-B-T5

  芯片電阻 - 表面安裝    Susumu    0805（2012 公制）    RES 48.7K OHM 1/8W .1% 0805 SMD

• RCL121847R5FKEK

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    寬 1812（4532 公制），1218    RES 47.5 OHM 1W 1% 1218 WIDE