RG2012P-5110-P-T1 全國供應商、價格、PDF資料

RG2012P-5110-P-T1詳細規格

類別：芯片電阻 - 表面安裝

描述：RES 511 OHM 1/8W .02% 0805

系列：RG

制造商：Susumu

電阻333Ω444：511

功率333W444：0.125W，1/8W

成分：薄膜

特性：-

溫度系數：±25ppm/°C

容差：±0.02%

封裝/外殼：0805（2012 公制）

供應商器件封裝：0805（2012 公制）

大小/尺寸：0.079" L x 0.049" W（2.00mm x 1.25mm）

高度：0.020"（0.50mm）

端子數：2

包裝：帶卷 (TR)

• RMCF0805JG24R0

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0805（2012 公制）    RES TF 1/8W 24 OHM 5% 0805

• RJK03B9DPA-00#J5A

  FET - 單    Renesas Electronics America    8-WDFN 裸露焊盤    MOSFET N-CH 30V 30A 2WPACK

• RCL12257K32FKEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    寬 2512（6432 公制），1225    RES 7.32K OHM 2W 1% 1225 WIDE

• RCL121856R0JNEK

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    寬 1812（4532 公制），1218    RES 56 OHM 1W 5% 1218 WIDE

• RG2012P-510-B-T5

  芯片電阻 - 表面安裝    Susumu    0805（2012 公制）    RES 51.0 OHM 1/8W .1% 0805 SMD

• M83723/78R14047

  連接器，互連器件    Amphenol Industrial Operations    0805（2012 公制）    CONN PLUG 4POS STRAIGHT W/PINS

• RMCF0805JG2K20

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0805（2012 公制）    RES 2.2K OHM 1/8W 5% 0805 SMD

• RJK0451DPB-00#J5

  FET - 單    Renesas Electronics America    SC-100，SOT-669    MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK

• RCL12257K68FKEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    寬 2512（6432 公制），1225    RES 7.68K OHM 2W 1% 1225 WIDE

• M83723/78R14048-LC

  圓形 - 外殼    TE Connectivity    0805（2012 公制）    CONN HSG PLUG STRGHT 4POS PIN

• RJK0656DPB-00#J5

  FET - 單    Renesas Electronics America    SC-100，SOT-669    MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK

• RMCF0805JG300R

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0805（2012 公制）    RES TF 1/8W 300 OHM 5% 0805

• RCL1225806KFKEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    寬 2512（6432 公制），1225    RES 806K OHM 2W 1% 1225 WIDE

• RCL12185K36FKEK

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    寬 1812（4532 公制），1218    RES 5.36K OHM 1W 1% 1218 WIDE

• RG2012P-5111-W-T5

  芯片電阻 - 表面安裝    Susumu    0805（2012 公制）    RES 5.11K OHM 1/8W .05% 0805