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RN1302 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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RN1302SU,LF詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 50V 100MA USM
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
電流_集電極截止(最大):500nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:50 @ 10mA,5V
功率_最大:100mW
頻率_轉換:250MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-70,SOT-323
供應商設備封裝:USM
包裝:Digi-Reel®

RN1302SU,LF詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 50V 100MA USM
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
電流_集電極截止(最大):500nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:50 @ 10mA,5V
功率_最大:100mW
頻率_轉換:250MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-70,SOT-323
供應商設備封裝:USM
包裝:剪切帶 (CT)

RN1302SU,LF詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 50V 100MA USM
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
電流_集電極截止(最大):500nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:50 @ 10mA,5V
功率_最大:100mW
頻率_轉換:250MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-70,SOT-323
供應商設備封裝:USM
包裝:帶卷 (TR)

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