RNCF1206DTE634R 全國供應商、價格、PDF資料

RNCF1206DTE634R詳細規格

類別：芯片電阻 - 表面安裝

描述：RES 634 OHM 1/8W 0.5% 1206

系列：RNCF

制造商：Stackpole Electronics Inc

電阻333Ω444：634

功率333W444：0.125W，1/8W

成分：薄膜

特性：-

溫度系數：±25ppm/°C

容差：±0.5%

封裝/外殼：1206（3216 公制）

供應商器件封裝：1206

大小/尺寸：0.126" L x 0.063" W（3.20mm x 1.60mm）

高度：0.026"（0.65mm）

端子數：2

包裝：帶卷 (TR)

• RNF18FTC511R

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 1/8W 511 OHM 1% AXIAL

• MDM-51PH005F

  D-Sub    ITT Cannon        MICRO 51POS PIN 30"

• RNCF1206DTE619R

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    1206（3216 公制）    RES 619 OHM 1/8W 0.5% 1206

• SI6925ADQ-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET DL N-CH 20V 3.9A 8-TSSOP

• SI3410DV-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET N-CH D-S 30V 6-TSOP

• SCC2692AE1A44,512

  接口 - UART（通用異步接收器/發送器）    NXP Semiconductors    44-LCC（J 形引線）    IC DUART DUAL W/FIFO 44-PLCC

• SD53-1R1-R

  固定式    Cooper Bussmann    非標準    INDUCT SHIELDED 1.1UH 3.25A SMD

• RNF18FTC5K62

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 1/8W 5.62K OHM 1% AXIAL

• SI4425BDY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

• SI3424DV-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP

• SI6928DQ-T1-E3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL 30V 4.0A 8TSSOP

• SCC2692AE1N28,602

  接口 - UART（通用異步接收器/發送器）    NXP Semiconductors    28-DIP（0.600"，15.24mm）    IC DUART 28-DIP

• RNF18FTC73R2

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES MF 1/8W 73.2 OHM 1% AXIAL

• SD53-220-R

  固定式    Cooper Bussmann    非標準    INDUCTOR SHIELDED 22.0UH SMD

• SI4425BDY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC