RNCF1206DTE8K06 全國供應商、價格、PDF資料

RNCF1206DTE8K06詳細規格

類別：芯片電阻 - 表面安裝

描述：RES 8.06K OHM 1/8W 0.5% 1206

系列：RNCF

制造商：Stackpole Electronics Inc

電阻333Ω444：8.06k

功率333W444：0.125W，1/8W

成分：薄膜

特性：-

溫度系數：±25ppm/°C

容差：±0.5%

封裝/外殼：1206（3216 公制）

供應商器件封裝：1206

大小/尺寸：0.126" L x 0.063" W（3.20mm x 1.60mm）

高度：0.026"（0.65mm）

端子數：2

包裝：帶卷 (TR)

• RNF18FTD100K

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES MF 1/8W 100K OHM 1% AXIAL

• SI4425DDY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC

• SD53-470-R

  固定式    Cooper Bussmann    非標準    INDUCTOR SHIELDED 47.0UH SMD

• RNCF1206DTE82K0

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    1206（3216 公制）    RES 82K OHM 1/8W 0.5% 1206

• MDM-51PH006A

  D-Sub    ITT Cannon        MICRO-D RCPT 51POS PIN 36" WIRE

• SI6928DQ-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET DL N-CH 30V 4A 8-TSSOP

• SI3434DV-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP

• RNF18FTD10K7

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES MF 1/8W 10.7K OHM 1% AXIAL

• SI4430BDY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

• MDM-51PH006P

  D-Sub    ITT Cannon        MICRO-D RCPT 51POS PIN 36" WIRE

• SI6933DQ-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP

• SI3440DV-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP

• RNF18FTD118K

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 1/8W 118K OHM 1% AXIAL

• SD53-680-R

  固定式    Cooper Bussmann    非標準    INDUCTOR SHIELDED 68.0UH SMD

• SI4431CDY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC