RNF18FTD12K1 全國供應商、價格、PDF資料

RNF18FTD12K1詳細規格

類別：通孔電阻器

描述：RES 1/8W 12.1K OHM 1% AXIAL

系列：RN

制造商：Stackpole Electronics Inc

電阻333Ω444：12.1k

功率333W444：0.125W，1/8W

成分：金屬薄膜

特性：阻燃涂層

溫度系數：±100ppm/°C

容差：±1%

封裝/外殼：軸向

供應商器件封裝：軸向

大小/尺寸：0.071" 直徑 x 0.130" L（1.80mm x 3.30mm）

高度：-

端子數：2

包裝：帶卷 (TR)

• SI3446ADV-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET N-CH 20V 6A 6-TSOP

• SCC30AN

  壓力    Honeywell Sensing and Control    4-SIP    SCC ABS 0 PSIA TO 30 PSIA

• SD56120M

  RF FET    STMicroelectronics    M252    TRANSISTOR RF PWR LDMOST M252

• RNF18FTD124R

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 1/8W 124 OHM 1% AXIAL

• SI4435BDY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

• MDM-51PH027K

  D-Sub    ITT Cannon        MICRO 51POS PIN 3"

• RNCF1206TKT250R

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    1206（3216 公制）    RES 250 OHM 1/8W 0.01% 1206

• SI3447BDV-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP

• SCC5D23-100

  固定式    Signal Transformer    非標準    INDUCTOR SMD 10UH 1.04A 100KHZ

• SD56150

  RF FET    STMicroelectronics    M252    TRANSISTOR RF POWER LDMOST M252

• SI4435DY

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

• RNCF1206TKY15K0

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    1206（3216 公制）    RES 15K OHM 1/8W 0.01% 1206

• MDM-51PH034B

  D-Sub    ITT Cannon        MICRO 51POS PIN 8"

• SI3447CDV-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET P-CH D-S 12V 6-TSOP

• SI6966EDQ-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP