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RP1E100RPTR 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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RP1E100RPTR詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 30V 10A MPT6
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:10A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.6 毫歐 @ 10A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3600pF @ 10V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:MPT6
包裝:Digi-Reel®

RP1E100RPTR詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 30V 10A MPT6
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:10A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.6 毫歐 @ 10A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3600pF @ 10V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:MPT6
包裝:帶卷 (TR)

RP1E100RPTR詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 30V 10A MPT6
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:10A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.6 毫歐 @ 10A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3600pF @ 10V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:MPT6
包裝:剪切帶 (CT)

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