RT1206DRE07680KL 全國供應商、價格、PDF資料

RT1206DRE07680KL詳細規格

類別：芯片電阻 - 表面安裝

描述：RES 680K OHM 1/4W .5% SMD 1206

系列：RT

制造商：Yageo

電阻333Ω444：680k

功率333W444：0.25W，1/4W

成分：薄膜

特性：-

溫度系數：±50ppm/°C

容差：±0.5%

封裝/外殼：1206（3216 公制）

供應商器件封裝：1206

大小/尺寸：0.122" L x 0.063" W（3.10mm x 1.60mm）

高度：0.026"（0.65mm）

端子數：2

包裝：帶卷 (TR)

• SI6443DQ-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP

• SI4511DY-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-SOIC

• RYM18DTKS

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD

• RT1206DRE0766K5L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    1206（3216 公制）    RES 66.5K OHM 1/4W .5% SMD 1206

• SI3216M-FT

  接口 - 電信    Silicon Laboratories Inc    38-TFSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC SLIC/CODEC 1CH 38TSSOP

• SI7489DP-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET P-CH 100V 28A PPAK 8SOIC

• SMAJ14A-13-F

  TVS - 二極管    Diodes Inc    DO-214AC，SMA    TVS UNIDIRECT 14V 400W SMA

• SST 1.5

  保險絲    Bel Fuse Inc    2-SMD，方形端塊    FUSE 1.5A 125V 6125 SLOW SST

• SI4511DY-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-SOIC

• SI6463BDQ-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

• SI7489DP-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET P-CH 100V 28A PPAK 8SOIC

• SI3216MPPT1-EVB

  過時/停產零件編號    Silicon Laboratories Inc        BOARD EVAL W/SI3201 INTERFACE

• SST 3

  保險絲    Bel Fuse Inc    2-SMD，方形端塊    FUSE 3A 125V 6125 SLOW SST

• SMAJ14A-E3/61

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Diodes Division    DO-214AC，SMA    TVS UNIDIRECT 400W 14V 5% SMA

• RT1206DRE0768K1L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    1206（3216 公制）    RES 68.1K OHM 1/4W .5% SMD 1206