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RZY200P01TL 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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RZY200P01TL詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:20A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:-
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:20W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:CPT3
包裝:剪切帶 (CT)

RZY200P01TL詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:20A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:-
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:20W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:CPT3
包裝:Digi-Reel®

RZY200P01TL詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:20A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:-
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:20W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:CPT3
包裝:帶卷 (TR)

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