SH470M160ST 全國供應商、價格、PDF資料

SH470M160ST詳細規格

類別：電容器

描述：CAP ALUM 47UF 160V 20% RADIAL

系列：SH

制造商：Cornell Dubilier Electronics (CDE)

電容：47µF

額定電壓：160V

容差：±20%

壽命0a0溫度：105°C 時為 2000 小時

工作溫度：-25°C ~ 105°C

特點：通用

紋波電流：270mA

ESR（等效串聯電阻）：4.23 歐姆

阻抗：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：徑向，Can

尺寸/尺寸：0.512" 直徑（13.00mm）

高度_座高（最大）：0.984"（25.00mm）

引線間隔：0.197"（5.00mm）

表面貼裝占地面積：-

包裝：散裝

• SI7190DP-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET N-CH D-S 250V 8-SOIC

• SH470M100ST

  電容器    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    徑向，Can    CAP ALUM 47UF 100V 20% RADIAL

• RT0402CRE0741R2L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0402（1005 公制）    RES 41.2 OHM 1/16W .25% SMD 0402

• SR151A270JAR

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 27PF 100V 5% RADIAL

• SI4401BDY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

• RTD-2415/P

  DC DC Converters    Recom Power    10-DIP SMD 模塊（6 引線）    CONV DC/DC 2W 24VIN +/-15VOUT

• SI4434DY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

• RT0805CRD0722R6L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0805（2012 公制）    RES 22.6 OHM 1/8W .25% SMD 0805

• SI7190DP-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET N-CH D-S 250V 8-SOIC

• SI4401DDY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 40V 8-SOIC

• SR151A270JARTR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 27PF 100V 5% RADIAL

• RTD-2424-R

  DC DC Converters    Recom Power    10-DIP SMD 模塊（6 引線）    CONV DC/DC 2W 24VIN +/-24VOUT

• SI4434DY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH D-S 250V 8-SOIC

• RT0805CRD07232RL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0805（2012 公制）    RES 232 OHM 1/8W .25% SMD 0805

• SH50C-2.0-150

  固定式    AlfaMag Electronics, LLC    徑向    INDUCTOR 150UH 2.0A 50KHZ CLP