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SI1051X-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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SI1051X-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:8V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:-
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:122 毫歐 @ 1.2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:9.45nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:560pF @ 4V
功率_最大:236mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
供應商設備封裝:SC-89-6
包裝:剪切帶 (CT)

SI1051X-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:8V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:-
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:122 毫歐 @ 1.2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:9.45nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:560pF @ 4V
功率_最大:236mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
供應商設備封裝:SC-89-6
包裝:Digi-Reel®

SI1051X-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:8V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:-
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:122 毫歐 @ 1.2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:9.45nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:560pF @ 4V
功率_最大:236mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
供應商設備封裝:SC-89-6
包裝:帶卷 (TR)

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