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SI1913EDH-T1 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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SI1913EDH-T1-E3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:880mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:490 毫歐 @ 880mA,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):450mV @ 100µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.8nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:570mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SC-70-6
包裝:帶卷 (TR)

SI1913EDH-T1-E3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:880mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:490 毫歐 @ 880mA,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):450mV @ 100µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.8nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:570mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SC-70-6
包裝:剪切帶 (CT)

SI1913EDH-T1-E3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:880mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:490 毫歐 @ 880mA,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):450mV @ 100µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.8nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:570mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SC-70-6
包裝:Digi-Reel®

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