SI2301BDS-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.2A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 2.8A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):950mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:375pF @ 6V
- 功率_最大:700mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI2301BDS-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.2A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 2.8A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):950mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:375pF @ 6V
- 功率_最大:700mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:Digi-Reel®
SI2301BDS-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.2A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 2.8A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):950mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:375pF @ 6V
- 功率_最大:700mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:帶卷 (TR)
SI2301BDS-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.2A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 2.8A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):950mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:375pF @ 6V
- 功率_最大:700mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:帶卷 (TR)
SI2301CDS-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:112 毫歐 @ 2.8A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:405pF @ 10V
- 功率_最大:1.6W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI2301CDS-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:112 毫歐 @ 2.8A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:405pF @ 10V
- 功率_最大:1.6W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:帶卷 (TR)
- 固定式 TDK Corporation 非標準 INDUCTOR SHIELD PWR 68UH 6028
- 通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 4.22K OHM METAL FILM .40W 1%
- 線性 - 視頻處理 Silicon Laboratories Inc 28-VFQFN 裸露焊盤 IC DEMOD DVB-T/C/S//S2 48-QFN
- DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模塊(4 引線) CONV DC/DC 15W 9-18VIN 3.3VOUT
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206(3216 公制) RES 52.3K OHM 1/4W .1% SMD 1206
- 矩形- 接頭,公引腳 JST Sales America Inc CONN HEADR PH SIDE 14POS 2MM SMD
- 螺線形繞線,伸縮套管 Panduit Corp SLEEVE EXP FR BLK 0.75" (19.1MM)
- RF 解調器 Skyworks Solutions Inc 32-TFLGA 裸露焊盤 IC QUADRATURE DEMOD 32-RFLGA
- 固定式 TDK Corporation 非標準 INDUCTOR SHIELD PWR 6.8UH 6028
- DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模塊(4 引線) CONV DC/DC 15W 9-18VIN 3.3VOUT
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206(3216 公制) RES 549 OHM 1/4W .1% SMD 1206
- 矩形- 接頭,公引腳 JST Sales America Inc CONN HEADR PH SIDE 14POS 2MM SMD
- 螺線形繞線,伸縮套管 Panduit Corp SLEEVE EXP FR WHT 0.75" (19.1MM)
- RF 解調器 Skyworks Solutions Inc 32-TFLGA 裸露焊盤 IC QUADRATURE DEMOD 32-RFLGA
- 通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 442K OHM METAL FILM .40W 1%
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