SI3443BDV-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

SI3443BDV-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.6A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 4.7A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）

供應商設備封裝：6-TSOP

包裝：帶卷 (TR)

• RNCF1206DTE8K06

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    1206（3216 公制）    RES 8.06K OHM 1/8W 0.5% 1206

• MDM-51PH006P

  D-Sub    ITT Cannon        MICRO-D RCPT 51POS PIN 36" WIRE

• SI6933DQ-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP

• SI3440DV-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP

• RNF18FTD118K

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 1/8W 118K OHM 1% AXIAL

• SD53-680-R

  固定式    Cooper Bussmann    非標準    INDUCTOR SHIELDED 68.0UH SMD

• SI4431CDY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

• MDM-51PH023B

  D-Sub    ITT Cannon        MICRO 51POS PIN 20"

• RNCF1206DTE8R20

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    1206（3216 公制）    RES 8.2 OHM 1/8W 0.5% 1206

• SCC290

  配件    Fluke Electronics    84-LCC（J 形引線）    CARRYING CASE KIT FOR SOFTWARE

• SD5443-002

  光學 - 光電檢測器 - 光電晶體管    Honeywell Sensing and Control    TO-46-3 金屬罐    SENSOR PHOTOTRANSISTOR NPN TO-46

• RNF18FTD118R

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 1/8W 118 OHM 1% AXIAL

• MDM-51PH023L

  D-Sub    ITT Cannon        MICRO 51POS PIN 20"

• RNCF1206DTE9K09

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    1206（3216 公制）    RES 9.09K OHM 1/8W 0.5% 1206

• SI4432-B1-FMR

  RF 收發器    Silicon Laboratories Inc    20-VFQFN 裸露焊盤    IC TXRX 240-930MHZ 1-20DB 20VQFN