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SI3460BDV-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 5.1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 10V; 功率_最大：3.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI3460BDV-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 5.1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 10V; 功率_最大：3.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI3460BDV-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 5.1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 10V; 功率_最大：3.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：Digi-Reel®

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VI-B4L-IU-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 200W
VJ1808A151KBLAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1808（4520 公制） CAP CER 150PF 630V 10% NP0 1808
SI3460BDV-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP