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SI3493BDV-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27.5 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1805pF @ 10V; 功率_最大：2.97W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI3493BDV-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27.5 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1805pF @ 10V; 功率_最大：2.97W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI3493BDV-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27.5 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1805pF @ 10V; 功率_最大：2.97W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

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