SI3529DV-T1-E3 全國供應商、價格、PDF資料

SI3529DV-T1-E3詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：N 和 P 溝道

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：40V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.5A，1.95A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 2.2A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：205pF @ 20V

功率_最大：1.4W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）

供應商設備封裝：6-TSOP

包裝：帶卷 (TR)

• MNR14E0ABJ114

  網絡、陣列    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制），凸起    RES ARRAY 110K OHM 4 RES 1206

• RT1206FRE0727KL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    1206（3216 公制）    RES 27.0K OHM 1/4W 1% SMD 1206

• SI3495DV-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

• RTS-1212/HP

  DC DC Converters    Recom Power    8-DIP SMD 模塊（5 引線）    CONV DC/DC 2W 12VIN 12VOUT

• SM6227FT84R5

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    6227 J 形引線    RES 84.5 OHM 3W 1% WW 6227

• SST39LF040-55-4I-NHE

  存儲器    Microchip Technology    32-LCC（J 形引線）    IC FLASH MPF 4MBIT 55NS 32PLCC

• RW1S0BAR033FT

  芯片電阻 - 表面安裝    Ohmite    2512 J 形引線    RES POWER .033 OHM 1W 1% SMT

• SR211C473KARTR2

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 0.047UF 100V 10% RADIAL

• MNR14E0ABJ114

  網絡、陣列    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制），凸起    RES ARRAY 110K OHM 4 RES 1206

• RTS-1212/HP-R

  DC DC Converters    Recom Power    8-DIP SMD 模塊（5 引線）    CONV DC/DC 2W 12VIN 12VOUT

• SM6227FT8R06

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    6227 J 形引線    RES 8.06 OHM 3W 1% WW 6227

• SST39LF200A-45-4C-B3KE

  存儲器    Microchip Technology    48-TFBGA    IC FLASH MPF 2MBIT 45NS 48TFBGA

• SR211C473MAA

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 0.047UF 100V 20% RADIAL

• RW1S0BAR036JET

  芯片電阻 - 表面安裝    Ohmite    2512 J 形引線    RES POWER .036 OHM 1W 5% SMT

• MNR14E0ABJ121

  網絡、陣列    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制），凸起    RES ARRAY 120 OHM 4 RES 1206