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SI3586DV-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.9A，2.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 3.4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI3586DV-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.9A，2.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 3.4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI3586DV-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.9A，2.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 3.4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設備封裝：6-TSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

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SI3585DV-T1-GE3
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SR211C473MAR
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RW1S0BAR050F
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RT1206FRE072K2L
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SM6227FT953R
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 6227 J 形引線 RES 953 OHM 3W 1% WW 6227
MNR14E0ABJ124
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SR211C563KAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.056UF 100V 10% RADIAL
RW1S0BAR075JE
芯片電阻 - 表面安裝 Ohmite 2512 J 形引線 RES POWER .075 OHM 1W 5% SMT
SST39LF402C-55-4C-B3KE-T
存儲器 Microchip Technology 48-TFBGA IC FLASH MPF 4MB 55NS 48TFBGA
MNR14E0ABJ134
網絡、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 130K OHM 4 RES 1206
SM6227FT97R6
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 6227 J 形引線 RES 97.6 OHM 3W 1% WW 6227
RTS-1215/P
DC DC Converters Recom Power 8-DIP SMD 模塊（5 引線） CONV DC/DC 2W 12VIN 15VOUT