SI3590DV-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

SI3590DV-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：N 和 P 溝道

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.5A，1.7A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫歐 @ 3A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：830mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）

供應商設備封裝：6-TSOP

包裝：帶卷 (TR)

• SM6227FT953R

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    6227 J 形引線    RES 953 OHM 3W 1% WW 6227

• MNR14E0ABJ124

  網絡、陣列    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制），凸起    RES ARRAY 120K OHM 4 RES 1206

• RTS-1212-R

  DC DC Converters    Recom Power    8-DIP SMD 模塊（5 引線）    CONV DC/DC 2W 12VIN 12VOUT

• SI3586DV-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP

• SR211C563KAA

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 0.056UF 100V 10% RADIAL

• RW1S0BAR075JE

  芯片電阻 - 表面安裝    Ohmite    2512 J 形引線    RES POWER .075 OHM 1W 5% SMT

• SST39LF402C-55-4C-B3KE-T

  存儲器    Microchip Technology    48-TFBGA    IC FLASH MPF 4MB 55NS 48TFBGA

• MNR14E0ABJ134

  網絡、陣列    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制），凸起    RES ARRAY 130K OHM 4 RES 1206

• SM6227FT97R6

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    6227 J 形引線    RES 97.6 OHM 3W 1% WW 6227

• RT1206FRE072K37L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    1206（3216 公制）    RES 2.37K OHM 1/4W 1% SMD 1206

• RW1S0BAR150JE

  芯片電阻 - 表面安裝    Ohmite    2512 J 形引線    RES POWER .150 OHM 1W 5% SMT

• SR211C563KAR

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 0.056UF 100V 10% RADIAL

• SI3812DV-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP

• RTS-1215/P-R

  DC DC Converters    Recom Power    8-DIP SMD 模塊（5 引線）    CONV DC/DC 2W 12VIN 15VOUT

• SM6227FTR107

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    6227 J 形引線    RES 0.107 OHM 3W 1% WW 6227