SI4100DY-T1-E3 全國供應商、價格、PDF資料

SI4100DY-T1-E3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.8A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：63 毫歐 @ 4.4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 50V

功率_最大：6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

• RW1S5CAR080JE

  芯片電阻 - 表面安裝    Ohmite    3916 J 形引線    RES POWER .080 OHM 1.5W 5% SMT

• RT1206FRE07475RL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    1206（3216 公制）    RES 475 OHM 1/4W 1% SMD 1206

• SST39VF040-70-4I-WHE

  存儲器    Microchip Technology    32-TFSOP（0.488"，12.40mm 寬）    IC FLASH MPF 4MBIT 70NS 32TSOP

• SI4090DY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 100V D-S 8SOIC

• RTS-1512/H

  DC DC Converters    Recom Power    8-DIP SMD 模塊（5 引線）    CONV DC/DC 2W 15VIN 12VOUT

• MNR14E0ABJ271

  網絡、陣列    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制），凸起    RES ARRAY 270 OHM 4 RES 1206

• SM6227FTR665

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    6227 J 形引線    RES 0.665 OHM 3W 1% WW 6227

• SR212A120JAATR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 12PF 200V 5% RADIAL

• RW1S5CAR100J

  芯片電阻 - 表面安裝    Ohmite    3916 J 形引線    RES POWER .100 OHM 1.5W 5% SMT

• RTS-1512/HP

  DC DC Converters    Recom Power    8-DIP SMD 模塊（5 引線）    CONV DC/DC 2W 15VIN 12VOUT

• MNR14E0ABJ272

  網絡、陣列    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制），凸起    RES ARRAY 2.7K OHM 4 RES 1206

• SST39VF1601C-70-4I-B3KE-MCF-T

  存儲器    Microchip Technology    48-TFBGA    IC FLASH MPF 16MBIT 3.6V 48TFBGA

• SM6227FTR845

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    6227 J 形引線    RES 0.845 OHM 3W 1% WW 6227

• SR212A150JARTR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 15PF 200V 5% RADIAL

• RW1S5CAR200JET

  芯片電阻 - 表面安裝    Ohmite    3916 J 形引線    RES POWER .200 OHM 1.5W 5% SMT