SI4176DY-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

SI4176DY-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：12A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8.3A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：490pF @ 15V

功率_最大：5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

• SST39VF801C-70-4I-EKE-T

  存儲器    Microchip Technology    48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）    IC MPF FLASH 8MBIT CMOS 48TSOP

• RTV162-300ML

  膠，粘合劑，敷料器    MG Chemicals    SC-70，SOT-323    ADHESIVE SEAL SIL NON-CORROSIVE

• SI4166DY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC

• SM6S11AHE3/2D

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Diodes Division    DO-218AB    TVS 6W 11V 5% SMD DO-218AB

• SR212A681KARTR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 680PF 200V 10% RADIAL

• RW2-1205S/H2/B

  DC DC Converters    Recom Power    16-DIP 模塊（6 引線）    CONV DC/DC 2W 9-18VIN 05VOUT

• SST39VF802C-70-4C-MAQE-T

  存儲器    Microchip Technology    48-WFBGA    IC MPF FLASH 8MBIT CMOS 48WFBGA

• RT1206FRE0786R6L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    1206（3216 公制）    RES 86.6 OHM 1/4W 1% SMD 1206

• MNR14E0ABJ620

  網絡、陣列    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制），凸起    RES ARRAY 62 OHM 4 RES 1206

• SI4451DY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH D-S 12V 8-SOIC

• SR212A7R5CARTR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 7.5PF 200V RADIAL

• SM6S15HE3/2D

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Diodes Division    DO-218AB    TVS 6W 15V 10% SMD DO-218AB

• SST39VF802C-70-4I-EKE

  存儲器    Microchip Technology    48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）    IC MPF FLASH 8MBIT CMOS 48TSOP

• RT1206FRE078K45L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    1206（3216 公制）    RES 8.45K OHM 1/4W 1% SMD 1206

• MNR14E0ABJ621

  網絡、陣列    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制），凸起    RES ARRAY 620 OHM 4 RES 1206