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當前位置:網站首頁 » 庫存索引1 » 型號"SI4286DY-T1-GE3"的供應信息

SI4286DY-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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SI4286DY-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET DUAL N-CHAN 40V SO-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:32.5 mOhm @ 8A, 10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:10.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:375pF @ 20V
功率_最大:1.9W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

SI4286DY-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET DUAL N-CHAN 40V SO-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:32.5 mOhm @ 8A, 10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:10.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:375pF @ 20V
功率_最大:1.9W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

SI4286DY-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET DUAL N-CHAN 40V SO-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:32.5 mOhm @ 8A, 10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:10.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:375pF @ 20V
功率_最大:1.9W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

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