SI4362BDY-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

SI4362BDY-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：29A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 19.8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：115nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 15V

功率_最大：6.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

• SMA6T12CAY

  TVS - 二極管    STMicroelectronics    DO-214AC，SMA    TRANSIL 600W 12V BIDIR SMA

• SI5375-EVB

  評估演示板和套件    Silicon Laboratories Inc    80-LBGA    BOARD EVAL FOR SI5375

• RYM08DTAN-S664

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 16POS R/A .156 SLD

• SI4362BDY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC

• SI7143DP-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

• SSQ-145-01-S-D

  矩形- 接頭，插座，母插口    Samtec Inc        CONN RCPT .100" 90POS DUAL GOLD

• SRF1280-151M

  陣列，信號變壓器    Bourns Inc.    水平式，4 PC 板    IND SHIELDED POWER 150UH SMD

• SMA6T12CAY

  TVS - 二極管    STMicroelectronics    DO-214AC，SMA    TRANSIL 600W 12V BIDIR SMA

• SI5402BDC-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SMD，扁平引線    MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

• SI7149DP-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET P-CH D-S 30V PPAK 8SOIC

• SRF1280-220M

  陣列，信號變壓器    Bourns Inc.    水平式，4 PC 板    IND SHIELDED POWER 22UH SMD

• SSQ-145-03-T-D

  矩形- 接頭，插座，母插口    Samtec Inc        CONN RCPT .100" 90POS DUAL TIN

• SMA6T15AY

  TVS - 二極管    STMicroelectronics    DO-214AC，SMA    TRANSIL 600W 15V UNIDIR SMA

• SI4388DY-T1-E3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC

• SRF1280-221M

  陣列，信號變壓器    Bourns Inc.    水平式，4 PC 板    IND SHIELDED POWER 220UH SMD