SI4411DY-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

SI4411DY-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 13A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

• SR151A271JAT

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 270PF 100V 5% RADIAL

• RTE0300G03

  DIP    C&K Components    SC-75，SOT-416    SWITCH ROTARY SLOT SEAL 3POS SMD

• SH50T-1.4-220

  固定式    AlfaMag Electronics, LLC    徑向    INDUCTOR 220UH 1.4A 50KHZ THD

• SI4410DY

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

• RT0805CRD072K26L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0805（2012 公制）    RES 2.26K OHM 1/8W .25% SMD 0805

• SI4463BDY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC

• SI7220DN-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    PowerPAK? 1212-8 雙    MOSFET DL N-CH 60V PPAK 1212-8

• RT0402CRE074K42L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0402（1005 公制）    RES 4.42KOHM 1/16W .25% SMD 0402

• SH512S2P72

  傳感器電纜 - 配件    Conxall/Switchcraft    徑向    SHLD MINIMIZER STR EXTENSION

• SR151A271KAATR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 270PF 100V 10% RADIAL

• SI4464DY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC

• RT0805CRD072K2L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0805（2012 公制）    RES 2.20K OHM 1/8W .25% SMD 0805

• SI7224DN-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    PowerPAK? 1212-8 雙    MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

• RT0402CRE0751KL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0402（1005 公制）    RES 51.0KOHM 1/16W .25% SMD 0402

• RTE0300G04

  DIP    C&K Components    SC-75，SOT-416    SWITCH ROTARY SLOT SEAL 3POS SMD