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當前位置:網站首頁 » 庫存索引1 » 型號"SI4427BDY-T1-GE3"的供應信息

SI4427BDY-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

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SI4427BDY-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:9.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫歐 @ 12.6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)

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