SI4442DY-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

SI4442DY-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：15A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 22A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

• RT1206DRE07348RL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    1206（3216 公制）    RES 348 OHM 1/4W .5% SMD 1206

• SMAJ11AHE3/61

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Diodes Division    DO-214AC，SMA    TVS UNIDIR 400W 11V 5% SMA

• SI4442DY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

• RYM12DTMN-S189

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD

• SI7404DN-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? 1212-8    MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 1212-8

• SK43BL-TP

  單二極管/整流器    Micro Commercial Co    DO-214AA，SMB    DIODE SCHOTTKY 4A 30V SMB

• SSQE48T25018-PABNG

  DC DC Converters    Power-One    8-DIP 模塊    DC/DC CONVERT 1.8V 25A

• RT1206DRE07357RL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    1206（3216 公制）    RES 357 OHM 1/4W .5% SMD 1206

• SI5858DU-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? CHIPFET? 雙    MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

• RYM12DTMN-S664

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 24POS R/A .156

• SI7409ADN-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? 1212-8    MOSFET P-CH D-S 30V PPAK 1212-8

• SK43BL-TP

  單二極管/整流器    Micro Commercial Co    DO-214AA，SMB    DIODE SCHOTTKY 4A 30V SMB

• RT1206DRE0736K5L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    1206（3216 公制）    RES 36.5K OHM 1/4W .5% SMD 1206

• SSQL48T20033-NDABG

  DC DC Converters    Power-One    8-DIP 模塊，1/16 磚    CONV DC-DC 3.3V 20A 1/16 BRICK

• SMAJ11CA

  TVS - 二極管    Littelfuse Inc    DO-214AC，SMA    DIODE TVS 11V 400W BIDIR 5% SMA