SI4456DY-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

SI4456DY-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：40V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：33A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫歐 @ 20A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：122nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：5670pF @ 20V

功率_最大：7.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

• SI4201-BM

  RF 收發器    Silicon Laboratories Inc    20-VFQFN 裸露焊盤    IC UNVRSL BASEBAND INTRFC 20MLP

• SR212A7R5DAR

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 7.5PF 200V RADIAL

• SI4456DY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

• MNR14E0ABJ683

  網絡、陣列    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制），凸起    RES ARRAY 68K OHM 4 RES 1206

• SM6S17AHE3/2D

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Diodes Division    DO-218AB    TVS 6W 17V 5% SMD DO-218AB

• SST39VF802C-70-4I-MAQE-T

  存儲器    Microchip Technology    48-WFBGA    IC MPF FLASH 8MBIT CMOS 48WFBGA

• RT1206FRE07909RL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    1206（3216 公制）    RES 909 OHM 1/4W 1% SMD 1206

• SI4210-EVB

  過時/停產零件編號    Silicon Laboratories Inc        BOARD EVALUATION FOR SI4210

• RTW0560RH

  AC DC 轉換器    TDK-Lambda Americas Inc    SC-70，SOT-323    POWER SUPPLY IND 5V 60A 300W

• MNR14E0ABJ750

  網絡、陣列    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制），凸起    RES ARRAY 75 OHM 4 RES 1206

• SM6S20HE3/2D

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Diodes Division    DO-218AB    TVS 6W 20V 10% SMD DO-218AB

• SST39WF1601-70-4C-MBQE-T

  存儲器    Microchip Technology    48-WFBGA    IC FLASH MPF 16MBIT 70NS 48WFBGA

• RT1220Q-103-M

  芯片電阻 - 表面安裝    Susumu    0805（2012 公制）    RES 10K OHM TRIMMABLE 0805

• SI4210-G-RF-EVB

  過時/停產零件編號    Silicon Laboratories Inc        BOARD RADIO FOR SI4210,SI4300

• RTW1212R

  AC DC 轉換器    TDK-Lambda Americas Inc    SC-70，SOT-323    POWER SUPPLY IND 12V 12.5A 150W