SI4501ADY-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N/P-CH HALF BRG 30V 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 溝道
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V,8V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.3A,4.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫歐 @ 8.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:Digi-Reel®
SI4501ADY-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N/P-CH HALF BRG 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 溝道
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V,8V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.3A,4.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫歐 @ 8.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI4501ADY-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N/P-CH HALF BRG 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 溝道
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V,8V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.3A,4.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫歐 @ 8.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
SI4501ADY-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N/P-CH 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 溝道
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V,8V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.3A,4.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫歐 @ 8.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:Digi-Reel®
SI4501ADY-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N/P-CH 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 溝道
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V,8V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.3A,4.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫歐 @ 8.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
SI4501ADY-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N/P-CH 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 溝道
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V,8V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.3A,4.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫歐 @ 8.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 56POS WALL MNT W/PINS
- 振蕩器 - 可編程式 EPSON 8-DIP,4 引線(半尺寸) OSCILLATOR TTL PROG 5V ST
- FFC,FPC(扁平軟線)- 連接器 - 面板安裝 FCI 模塊 CONN FPC/FFC 18POS .5MM R/A SMD
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 37 POS BOX MNT W/PINS
- FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N/P-CH HALF BRG 20V 8SOIC
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 56 OHM 5W 5% WIREWOUND
- 鉭 Kemet 2312(6032 公制) CAP TANT 10UF 16V 10% 2312
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 61POS WALL MNT W/PINS
- 振蕩器 - 可編程式 EPSON 8-DIP,4 引線(半尺寸) OSCILLATOR TTL PROG 5V ST
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 37 POS BOX MNT W/SCKT
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 6.8 OHM 5W 5% WIREWOUND
- 鉭 Kemet 2312(6032 公制) CAP TANT 10UF 16V 10% 2312
- 振蕩器 - 可編程式 EPSON 8-DIP,4 引線(半尺寸) OSCILLATOR TTL PROG 5V ST
- FFC,FPC(扁平軟線)- 連接器 - 面板安裝 FCI 模塊 SFV20R-1STE1-FFC/FPC CONN
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 19POS WALL MNT W/SCKT
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