SI4688DY-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

SI4688DY-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.9A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 12A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1580pF @ 15V

功率_最大：1.4W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：剪切帶 (CT)

SI4688DY-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.9A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 12A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1580pF @ 15V

功率_最大：1.4W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

SI4688DY-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.9A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 12A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1580pF @ 15V

功率_最大：1.4W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：Digi-Reel®

• SM6227FT162R

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    6227 J 形引線    RES 162 OHM 3W 1% WW 6227

• SI4660DY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC

• RYM25DRSH

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 50POS DIP .156 SLD

• SMAJ15A-TP

  TVS - 二極管    Micro Commercial Co    DO-214AC，SMA    TVS 400W 15V UNIDIRECT SMA

• SM6227FT1K05

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    6227 J 形引線    RES 1.05K OHM 3W 1% WW 6227

• SI7674DP-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC

• SI3402-A-GM

  PMIC - 熱交換    Silicon Laboratories Inc    20-VQFN 裸露焊盤    IC POE PD LOW EMI SW REG 20VQFN

• SST12LP08A-QX8E

  RF 放大器    Microchip Technology    8-XSON    IC RF PWR AMP 802.11B/G/N 8XSON

• RT1206FRE07107RL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    1206（3216 公制）    RES 107 OHM 1/4W 1% SMD 1206

• SM6227FT1K07

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    6227 J 形引線    RES 1.07K OHM 3W 1% WW 6227

• SST12LP08-QX6E

  RF 放大器    Microchip Technology    6-XFDFN 裸露焊盤    IC RF PWR AMP 802.11B/G/N 6-QFN

• SMAJ15HE3/61

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Diodes Division    DO-214AC，SMA    TVS UNIDIR 400W 15V 10% SMA

• RT1206FRE0710K5L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    1206（3216 公制）    RES 10.5K OHM 1/4W 1% SMD 1206

• SI3430DV-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP

• SI7686DP-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 8SOIC