SI4816BDY的供應信息|PDF資料|求購SI4816BDY上51電子網

SI4816BDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.8A，8.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫歐 @ 6.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W，1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4816BDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.8A，8.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫歐 @ 6.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W，1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4816BDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.8A，8.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫歐 @ 6.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W，1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4816BDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 30V 6.8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.8A，8.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫歐 @ 6.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W，1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4816BDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 30V 6.8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.8A，8.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫歐 @ 6.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W，1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4816BDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 30V 6.8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.8A，8.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫歐 @ 6.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W，1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SQCB9M181JAJWE
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 180PF 300V 5% 1111
SI7858ADP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 12V 20A PPAK 8SOIC
SI4812BDY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SR215E224MAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.22UF 50V 20% RADIAL
SQCAEM200JAJME
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 20PF 150V 5% 0605
SR151C681KAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 680PF 100V 10% RADIAL
SHIPLBL-065
標簽，標記 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON YEL 500/PK
SQCB9M181JATME\500
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 180PF 300V 5% 1111
SI7858BDP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 12V 40A 8SOIC
SQCAEM220FATME\500
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 22PF 150V 1% 0605
SR151C681KART
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 680PF 100V 10% RADIAL
SHIPLBL-066
標簽，標記 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON RED 500/PK
SQCB9M201FAJWE
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 200PF 300V 1% 1111
SR767C104KAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.1UF 500V 10% RADIAL
SI7858BDP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 12V 40A 8SOIC

久久综合精品国产一区二区三区-人人狠狠综合久久亚洲-久久精品这里热有精品-亚洲欧美日韩另类国产第一