SI4888DY-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:11A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫歐 @ 16A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.6V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.6W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
SI4888DY-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:11A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫歐 @ 16A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.6V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.6W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/4W 12.4K OHM .1% AXIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 309 OHM 1/8W 0.1% 1206
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 39.2K OHM 1/2W 1% AXIAL
- 讀卡器 - 存儲器卡 SanDisk TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 CARD READER 5 IN 1
- 顯示器模塊 - LED 點陣和簇 OSRAM Opto Semiconductors Inc INTELLIGENT DISP 8CHAR 5X7 GRN
- TVS - 變阻器,MOV TE Connectivity 圓盤 10mm VARISTOR 820V 10MM RADIAL
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 12.6K OHM 1/4W .1% AXIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 56.2 OHM 1/2W 1% 1206 SMD
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 3.16K OHM 1/2W 1% AXIAL
- 固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR POWER 3.3UH 20% SMD
- 過時/停產零件編號 Freescale Semiconductor BOARD EVAL 908QF4 RF TX
- TVS - 變阻器,MOV TE Connectivity 圓盤 14mm VARISTOR 1100V 14MM RADIAL
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/4W 154K OHM .1% AXIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 5.11K OHM 1/2W 1% 1206 SMD
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