SI4953ADY-T1 全國供應商、價格、PDF資料
SI4953ADY-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 30V 3.7A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:53 毫歐 @ 4.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
SI4953ADY-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 30V 3.7A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:53 毫歐 @ 4.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:Digi-Reel®
SI4953ADY-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 30V 3.7A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:53 毫歐 @ 4.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI4953ADY-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:53 毫歐 @ 4.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:Digi-Reel®
SI4953ADY-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:53 毫歐 @ 4.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
SI4953ADY-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:53 毫歐 @ 4.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:剪切帶 (CT)
- DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模塊(6 引線) CONV DC/DC 0.5W 12VIN 15VOUT
- FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH DUAL 25V 8-SOIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805(2012 公制) RES 390 OHM 1/8W .5% SMD 0805
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 10PF 100V 5% RADIAL
- 電路板襯墊,支座 Bivar Inc 非標準 SCREW SPACER PVC .215X.25 #4 GY
- DC DC Converters Recom Power 8-DIP SMD 模塊(5 引線) CONV DC/DC 2W 05VIN 09VOUT
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805(2012 公制) RES 18.7 OHM 1/8W .25% SMD 0805
- 芯片電阻 - 表面安裝 Ohmite 2010(5025 公制) RES .47 OHM .6W 2010 SMD
- DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模塊(6 引線) CONV DC/DC 0.5W 15VIN 05VOUT
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 10PF 100V 10% RADIAL
- 電路板襯墊,支座 Bivar Inc 非標準 SCREW SPACER PVC .265X.25 #4 GY
- DC DC Converters Recom Power 8-DIP SMD 模塊(5 引線) CONV DC/DC 2W 05VIN 12VOUT
- DC DC Converters Recom Power 24-DIP SMD 模塊(13 引線) CONV DC/DC 3W 9-18VIN 05VOUT
- DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模塊(6 引線) CONV DC/DC 0.5W 15VIN 12VOUT
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805(2012 公制) RES 18.0 OHM 1/8W .25% SMD 0805
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