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SI5475DDC-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫歐 @ 5.4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 6V; 功率_最大：5.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：帶卷 (TR)

SI5475DDC-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫歐 @ 5.4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 6V; 功率_最大：5.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：Digi-Reel®

SI5475DDC-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫歐 @ 5.4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 6V; 功率_最大：5.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：剪切帶 (CT)

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