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SI5511DC-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A，3.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫歐 @ 4.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.1nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：435pF @ 15V; 功率_最大：3.1W，2.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：Digi-Reel®

SI5511DC-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A，3.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫歐 @ 4.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.1nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：435pF @ 15V; 功率_最大：3.1W，2.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：剪切帶 (CT)

SI5511DC-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A，3.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫歐 @ 4.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.1nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：435pF @ 15V; 功率_最大：3.1W，2.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：帶卷 (TR)

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SI4427BDY-T1-GE3
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SK38B-TP
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RYM12DTAT-S189
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD
SI4430-A0-FM
RF 收發器 Silicon Laboratories Inc 20-VFQFN 裸露焊盤 IC TXRX ISM 930MHZ 3.6V 20-QFN
RT1206DRE07300KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 300K OHM 1/4W .5% SMD 1206
SSQE48T13050-PABNG
DC DC Converters Power-One 8-DIP 模塊 DC/DC CONVERT 5V 13A
SI4430BDY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
RYM12DTBD
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD
SI7366DP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 20V 13A PPAK 8SOIC
SI5513CDC-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引線 MOSFET N/P-CH 20V 1206-8