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SI5947DU-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL P-CH 20V 6A 8PWRPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 3.6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 10V; 功率_最大：2.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? CHIPFET? 雙; 供應商設備封裝：PowerPAK? ChipFet 雙; 包裝：Digi-Reel®

SI5947DU-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL P-CH 20V 6A 8PWRPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 3.6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 10V; 功率_最大：2.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? CHIPFET? 雙; 供應商設備封裝：PowerPAK? ChipFet 雙; 包裝：帶卷 (TR)

SI5947DU-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL P-CH 20V 6A 8PWRPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 3.6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 10V; 功率_最大：2.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? CHIPFET? 雙; 供應商設備封裝：PowerPAK? ChipFet 雙; 包裝：剪切帶 (CT)

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MDM-37PH027P
D-Sub ITT Cannon MICRO 37POS PIN 3"
SD2931
RF FET STMicroelectronics M244 IC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M244
RNF-150-1/2-9-SP
熱縮管 TE Connectivity 軸向 HEAT SHRINK TUBING
RT0805CRE0723K2L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 23.2K OHM 1/8W .25% SMD 0805
SI4164DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC