SI6463BDQ 全國供應商、價格、PDF資料

SI6463BDQ-T1-E3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 7.4A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.05W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）

供應商設備封裝：8-TSSOP

包裝：Digi-Reel®

SI6463BDQ-T1-E3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 7.4A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.05W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）

供應商設備封裝：8-TSSOP

包裝：剪切帶 (CT)

SI6463BDQ-T1-E3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 7.4A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.05W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）

供應商設備封裝：8-TSSOP

包裝：帶卷 (TR)

SI6463BDQ-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 7.4A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.05W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）

供應商設備封裝：8-TSSOP

包裝：帶卷 (TR)

SI6463BDQ-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 7.4A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.05W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）

供應商設備封裝：8-TSSOP

包裝：剪切帶 (CT)

SI6463BDQ-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 7.4A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.05W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）

供應商設備封裝：8-TSSOP

包裝：Digi-Reel®

• ST16C650ACJ44TR-F

  接口 - UART（通用異步接收器/發送器）    Exar Corporation    44-LCC（J 形引線）    IC UART FIFO 32B 44PLCC

• SI6463BDQ-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

• SRT2-ID08CL-1

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div        MOD I/O IP67 8PT INPUTS PNP

• SSCDANN100PAAB5

  壓力    Honeywell Sensing and Control    8-DIP（0.525"，13.35mm）    SENSOR PRES 100PSI ABSO 5V DIP

• ST40X-18S-CV1

  矩形 - 自由懸掛，面板安裝    Hirose Electric Co Ltd    DO-214AA，SMB    CONN PLUG 18POS SOLDER

• RV-093.3D/P

  DC DC Converters    Recom Power    24-DIP 模塊（14 引線）    CONV DC/DC 2W 09VIN +/-3.3VOUT

• STD17NF25

  FET - 單    STMicroelectronics    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 250V 17A DPAK

• RTC-72423A:3:ROHS

  時鐘/計時 - 實時時鐘    EPSON    24-SOIC （0.311"，7.90mm 寬）    IC REAL TIME CLOCK 24-SOP

• ST16C650ACQ48-F

  接口 - UART（通用異步接收器/發送器）    Exar Corporation    48-TQFP    IC UART FIFO 32B 48TQFP

• SSCDANN150PAAB5

  壓力    Honeywell Sensing and Control    8-DIP（0.525"，13.35mm）    SENSOR PRES 150PSI ABSO 5V DIP

• ST40X-24S-CV(80)

  矩形 - 自由懸掛，面板安裝    Hirose Electric Co Ltd    DO-214AA，SMB    CONN PLUG 24POS SOLDER

• STD17W-4

  標記    TE Connectivity    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MARKER SNAP-ON 4 8.5-11.5MM WHT

• RV-1205D/P/R8

  DC DC Converters    Recom Power    24-DIP 模塊（14 引線）    CONV DC/DC 2W 12VIN +/-05VOUT

• RTC-72423B:3

  時鐘/計時 - 實時時鐘    EPSON    24-SOIC （0.311"，7.90mm 寬）    IC REAL TIME CLOCK 24-SOP

• ST16C654CJ-0A-EVB

  評估演示板和套件    Exar Corporation    48-TQFP    EVAL BOARD FOR ST16C654 68PLCC