SI6473DQ-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

SI6473DQ-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 9.5A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.08W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）

供應商設備封裝：8-TSSOP

包裝：帶卷 (TR)

• SI6463BDQ-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

• SI3232DCX-EVB

  評估演示板和套件    Silicon Laboratories Inc    64-TQFP    DAUGHTER CARD W/DISCRETE INTRFC

• SD-40LP

  連接器，互連器件    CUI Inc    DO-200AA，A-PUK    CONN DIN PLUG LOCKING IN-LINE 4P

• SI4410BDY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC

• SCC15D

  壓力    Honeywell Sensing and Control    4-SIP    SENSOR PRESS DIFF 15PSI

• RNF18FTC1K82

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 1/8W 1.82K OHM 1% AXIAL

• RNCF1206DTE38K3

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    1206（3216 公制）    RES 38.3K OHM 1/8W 0.5% 1206

• MDM-51PH003B

  D-Sub    ITT Cannon        MICRO-D RCPT 51POS PIN 18" WIRE

• SD453N16S30PC

  單二極管/整流器    Vishay Semiconductors    B-8    DIODE FAST REC 1600V 450A B-8

• SCC15DN

  壓力    Honeywell Sensing and Control    4-SIP    SCC DIFF GAGE 0 PSID TO 15 PSID

• SI4410DY

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

• RNF18FTC1M00

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 1/8W 1M OHM 1% AXIAL

• SD453R16S20PC

  單二極管/整流器    Vishay Semiconductors    B-8    DIODE FAST REC 1600V 400A B-8

• RNCF1206DTE40K2

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    1206（3216 公制）    RES 40.2K OHM 1/8W 0.5% 1206

• MDM-51PH003L

  D-Sub    ITT Cannon        MICRO-D RCPT 51POS PIN 18" WIRE