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SI6913DQ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH D-S 12V 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 5.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI6913DQ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH D-S 12V 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 5.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI6913DQ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH D-S 12V 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 5.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

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