SI7102DN-T1-E3 全國供應商、價格、PDF資料

SI7102DN-T1-E3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH D-S 12V PPAK 1212-8

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：12V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：35A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫歐 @ 15A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 8V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3720pF @ 6V

功率_最大：52W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8

供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8

包裝：帶卷 (TR)

• SR151A151JAATR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 150PF 100V 5% RADIAL

• SI4228DY-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 25V 8-SOIC

• SI6981DQ-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP

• RT0402CRE0720K5L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0402（1005 公制）    RES 20.5KOHM 1/16W .25% SMD 0402

• RT0805CRD0715K8L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0805（2012 公制）    RES 15.8K OHM 1/8W .25% SMD 0805

• SH275-1

  熱縮管    Daburn Electronics    徑向    HEATSHRINK BLACK 1IN X 100FT

• RTD-1509/H

  DC DC Converters    Recom Power    10-DIP SMD 模塊（6 引線）    CONV DC/DC 2W 15VIN +/-09VOUT

• RT424A12

  功率，高于 2 安    TE Connectivity    2010（5025 公制）    RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 12V

• SR151A151JAR

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 150PF 100V 5% RADIAL

• RT0402CRE0720R5L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0402（1005 公制）    RES 20.5 OHM 1/16W .25% SMD 0402

• RT424F05

  功率，高于 2 安    TE Connectivity    2010（5025 公制）    RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 8A 5V

• RT0805CRD07160RL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0805（2012 公制）    RES 160 OHM 1/8W .25% SMD 0805

• SH275-1/2

  熱縮管    Daburn Electronics    徑向    HEATSHRINK BLACK 1/2IN X 5FT

• SR151A151JARAP2

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 150PF 100V 5% RADIAL

• SI4286DY-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    *    MOSFET DUAL N-CHAN 40V SO-8