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SI7123DN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.6 毫歐 @ 15A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：90nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3729pF @ 10V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7123DN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.6 毫歐 @ 15A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：90nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3729pF @ 10V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7123DN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.6 毫歐 @ 15A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：90nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3729pF @ 10V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

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SI7121DN-T1-GE3
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SR151A181KAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 180PF 100V 10% RADIAL
RT0402CRE072K2L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 2.20KOHM 1/16W .25% SMD 0402
RT555-5/8-0-SP
熱縮管 TE Connectivity 2010（5025 公制） HEAT SHRINK TUBING
RT0805CRD071K43L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 1.43K OHM 1/8W .25% SMD 0805
RTD-1524/H
DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模塊（6 引線） CONV DC/DC 2W 15VIN +/-24VOUT
SH302S2
傳感器電纜 - 配件 Conxall/Switchcraft 徑向，Can SHIELDED DC MICRO-MIZER
SI4346DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC