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當前位置:網站首頁 » 庫存索引1 » 型號"SI7530DP-T1-GE3"的供應信息

SI7530DP-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

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SI7530DP-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N/P-CH 60V PWRPAK 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3A,3.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫歐 @ 4.6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.4W,1.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
包裝:帶卷 (TR)

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