SI7900AEDN-T1 全國供應商、價格、PDF資料
SI7900AEDN-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫歐 @ 8.5A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI7900AEDN-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫歐 @ 8.5A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
- 包裝:Digi-Reel®
SI7900AEDN-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫歐 @ 8.5A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7900AEDN-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH D-S 20V 1212-8 PPAK
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫歐 @ 8.5A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7900AEDN-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH D-S 20V 1212-8 PPAK
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫歐 @ 8.5A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
- 包裝:Digi-Reel®
SI7900AEDN-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH D-S 20V 1212-8 PPAK
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫歐 @ 8.5A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 2.4PF 150V 0605
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603(1608 公制) RES 140K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
- 標簽,標記 3M (TC) LABEL 10X8" BLACK ON RED 50/PK
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 3300PF 100V 10% RADIAL
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V 15A PPAK 8SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 1000PF 150V 10% 1111
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 560PF 500V 5% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 2.4PF 150V 0605
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 1000PF 150V 10% 1111
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 10000PF 50V 5% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 68PF 500V 5% RADIAL
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH D-S 40V 8SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 2.7PF 150V 0605
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603(1608 公制) RES 14.0 OHM 1/10W .5% SMD 0603
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