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SI7960DP-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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SI7960DP-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET DL N-CH 60V PPAK 8-SOIC
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫歐 @ 9.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:75nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.4W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
包裝:剪切帶 (CT)

SI7960DP-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET DL N-CH 60V PPAK 8-SOIC
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫歐 @ 9.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:75nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.4W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
包裝:Digi-Reel®

SI7960DP-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET DL N-CH 60V PPAK 8-SOIC
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫歐 @ 9.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:75nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.4W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
包裝:帶卷 (TR)

SI7960DP-T1-GE3供應商

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