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SI9433BDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 6.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI9433BDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 6.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI9433BDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 6.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI9433BDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 6.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI9433BDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 6.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI9433BDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 6.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI9433BDY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC
SSH-LX3050
配件 Lumex Opto/Components Inc TO-3P-3，SC-65-3 HOLDER LED PANEL 3MM BLACK NYLON
SM4124FB1R50
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引線 RES 1.5 OHM 2W 1% WW 4124
SY898530UTZ
時鐘/計時 - 時鐘緩沖器，驅動器 Micrel Inc 48-TQFP IC CLK BUFFER 1:16 500MHZ 48TQFP
SW40 BK005
螺線形繞線，伸縮套管 Alpha Wire SPIRAL WRAP UV POLY 1/8" X 100’
STR7-RVDK
過時/停產零件編號 STMicroelectronics 100-LQFP KIT DEV REALVIEW FOR ST/ARM7
SI7302DN-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 220V PWRPAK 1212-8
STP6NK50Z
FET - 單 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 5.6A TO-220
SY898530UTZ TR
時鐘/計時 - 時鐘緩沖器，驅動器 Micrel Inc 48-TQFP IC CLK BUFFER 1:16 500MHZ 48TQFP
SSH-LX5090
配件 Lumex Opto/Components Inc TO-3P-3，SC-65-3 BEZEL LED PANEL 5MM BK PLAST 2PC
SW41 BK008
螺線形繞線，伸縮套管 Alpha Wire SPIRAL WRAP UV POLY 1/4" X 25’
STR7-RVDK/BAS
通用嵌入式開發板和套件（MCU、DSP、FPGA、CPLD等） STMicroelectronics KIT DEV ARM REALVIEW STR7/9 MCU
SI7308DN-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
STP7NM50N
FET - 單 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
SM4124FB2R00
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引線 RES 2 OHM 2W 1% WW 4124

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