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SI9926CDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 8.3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI9926CDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 8.3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI9926CDY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 8.3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

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