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SIA519EDJ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 4.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 10V; 功率_最大：7.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6 雙; 供應商設備封裝：PowerPAK? SC-70-6 雙; 包裝：剪切帶 (CT)

SIA519EDJ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 4.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 10V; 功率_最大：7.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6 雙; 供應商設備封裝：PowerPAK? SC-70-6 雙; 包裝：Digi-Reel®

SIA519EDJ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 4.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 10V; 功率_最大：7.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6 雙; 供應商設備封裝：PowerPAK? SC-70-6 雙; 包裝：帶卷 (TR)

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