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當前位置:網站首頁 » 庫存索引22 » 型號"SIA814DJ-T1-GE3"的供應信息

SIA814DJ-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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SIA814DJ-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:61 毫歐 @ 3.3A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 10V
功率_最大:6.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK? SC-70-6 雙
供應商設備封裝:PowerPAK? SC-70-6 雙
包裝:剪切帶 (CT)

SIA814DJ-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:61 毫歐 @ 3.3A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 10V
功率_最大:6.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK? SC-70-6 雙
供應商設備封裝:PowerPAK? SC-70-6 雙
包裝:Digi-Reel®

SIA814DJ-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:61 毫歐 @ 3.3A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 10V
功率_最大:6.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK? SC-70-6 雙
供應商設備封裝:PowerPAK? SC-70-6 雙
包裝:帶卷 (TR)

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