SIE808DF-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

SIE808DF-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 歐姆 @ 25A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：155nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：8800pF @ 10V

功率_最大：125W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：10-PolarPAK?（L）

供應商設備封裝：10-PolarPAK?（L）

包裝：帶卷 (TR)

• SI4378DY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

• RNF14FTD562R

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES MF 1/4W 562 OHM 1% AXIAL

• SIE800DF-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    10-PolarPAK?（S）    MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK

• MFU1206FF05000P100

  保險絲    Vishay Beyschlag    1206（3216 公制）    FUSE 5.00A 1206 VFAST SMD

• SLPX222M080A7P3

  電容器    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 2200UF 80V 20% SNAP

• MIC2548A-2YMM TR

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 內部開關    Micrel Inc    8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    IC SW CURR LIMIT HI SIDE 8MSOP

• SG-636PCE 3.6864MC0

  振蕩器    EPSON    4-SOJ，5.08mm 間距    OSCILLATOR 3.6864MHZ SMD

• RP-0912S/P/X2

  DC DC Converters    Recom Power    7-SIP 模塊（4 引線）    CONV DC/DC 1W 09VIN 12VOUT

• SI4378DY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

• SLPX271M250A3P3

  電容器    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 270UF 250V 20% SNAP

• MIC2549A-1BTS

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 內部開關    Micrel Inc    14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC SW CURR LIMIT HI SIDE 14TSSOP

• SG-636PCE 3.6864MC0:ROHS

  振蕩器    EPSON    4-SOJ，5.08mm 間距    OSCILLATOR 3.6864MHZ SMD

• SI4384DY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

• RP-0915D/P

  DC DC Converters    Recom Power    7-SIP 模塊（5 引線）    CONV DC/DC 1W 09VIN +/-15VOUT

• MF-USMD050-2

  PTC 可復位保險絲    Bourns Inc.    1210（3225 公制）    FUSE RESETTABLE .50A 13.2V SMD