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SIR788DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 60A SO-8; 系列：SkyFET®, TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物!; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.4 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2873pF @ 15V; 功率_最大：48W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SIR788DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 60A SO-8; 系列：SkyFET®, TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物!; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.4 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2873pF @ 15V; 功率_最大：48W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SIR788DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 60A SO-8; 系列：SkyFET®, TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物!; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.4 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2873pF @ 15V; 功率_最大：48W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SIR788DP-T1-GE3供應商

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SFR2500008063FR500
通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 806K OHM METL FILM .40W 1% T
VI-BN2-EW-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 15V 100W
VJ1206Y121KBCAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 120PF 200V 10% X7R 1206
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VI-B4T-EX-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 75W