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SIS430DN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 25V PPAK 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：35A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.1 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 12.5V; 功率_最大：52W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SIS430DN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 25V PPAK 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：35A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.1 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 12.5V; 功率_最大：52W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

SIS430DN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 25V PPAK 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：35A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.1 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 12.5V; 功率_最大：52W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

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SIS430DN-T1-GE3
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SMAJ70A-TR
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SA20A-T
TVS - 二極管 Diodes Inc DO-204AC，DO-15，軸向 TVS UNI-DIR 20V 500W DO-15
SAF-C161PI-LF 3V CA
嵌入式 - 微控制器， Infineon Technologies 100-LQFP IC MCU 16BIT ROM/LESS TQFP-100-1
S82J-02524D
AC DC 轉換器 Omron Electronics Inc-IA Div 徑向，圓盤 POWER SUPPLY SWITCHING 24V 1.1A
SC616CPNR
蜂鳴器 Mallory Sonalert Products Inc 10-VFDFN 裸露焊盤 AUD SIG DEVICE 6-16VDC PNL MNT
RP30-1212SF/N-HC
DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模塊 CONV DC/DC 30W 9-18VIN 12VOUT